（1）在本征半导体中，本征激发产生两种载流子——自由电子和空穴，它们总是成对出现的；常温下，这两种载流子的浓度比较低，导电能力较差，并且不易控制。
在本征半导体中掺入五价或者三价元素杂质，构成两种杂质半导体——N型半导体、P型半导体，其导电性能主要由多子决定。多子主要由掺杂产生，浓度很大并且基本不受温度影响，因此杂质半导体的导电性能比较好。杂质半导体中的少子由本征激发产生，其浓度随着温度的升高而增加，导致杂质半导体的导电性能受温度的影响比较大。
半导体中存在两种载流子有序的运动——漂移运动、扩散运动，漂移运动因电位差而产生，扩散运动因浓度差而产生；这两种运动产生两种电流——漂移电流、扩散电流。
（2）将两种不同性质的杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在其交界面处，漂移运动与扩散运动达到动态平衡，形成PN结，它是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是单向导电性。即PN结在正偏时导通，产生很大的正向扩散电流，呈现很小的结电阻，电压与电流为指数关系；反偏时截止，产生很小的反向漂移电流，呈现很大的结电阻。
（3）把PN结封装并引出电极后就构成二极管，其主要特性是单向导电性，还具有反向击穿特性、温度特性和电容效应。 I_(F), V_(R), I_(R), f_(M) 是二极管的主要参数。为安全起见，二极管使用时要串联限流电阻。
特殊二极管同样具有单向导电性。利用 PN 结击穿时的特性可以制成稳压二极管，使用时必须给二极管加足够大的反偏电压，使稳压管工作于反向击穿区，另外还要注意稳压电路限流电阻的选取；利用 PN 结的电容效应（其结电容随反向电压的增大而减小）可以制成变容二极管，使用时要让二极管工作在反偏状态。肖特基二极管的内部是一个金属半导体结，它有两个特点：一是导通电压低，约为 0.4 V；二是工作速度快，适用于高频高速电路。利用发光材料可以制成发光二极管，使用时应加正偏电压；利用 PN 结的光敏性可以制成光电二极管，使用时应加反偏电压，使其工作在截止状态。
（4）由于二极管是非线性器件，所以通常采用二极管的简化模型来分析设计二极管电路。当分析直流电路或大信号情况时，应采用理想模型或者恒压降模型。具体而言，当电源电压远大于 Vₒn 时，采用理想模型较为简便；当电源电压较低时，采用恒压降模型较为合理。对于既有直流电源又有微小信号源的电路，一般先利用恒压降模型进行静态分析，求出静态工作点，再求出小信号模型参数 r_(d) ，然后利用小信号模型对电路进行动态分析，最后再根据题目要求对静态和动态的分析结果进行综合。数学模型主要在计算机仿真模型中使用。
（5）计算机仿真技术是进行电路分析设计的有效辅助手段，目前已经广泛应用于电路的分析设计。二极管的 SPICE 模型与实际器件特性比较一致，仿真结果精度较高。